时间：2025/8/14 14:49:08
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PJS6415是一款由PanJit Semiconductor（强茂半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽式（Trench）技术，具有低导通电阻（RDS(ON)）和高电流承载能力，适用于多种电源管理和功率转换应用。PJS6415采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热性能和可靠性，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(ON)）：最大值8.5mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
PJS6415采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在低导通电阻和高开关性能之间取得了良好的平衡。该器件的导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时最大仅为8.5mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，PJS6415的连续漏极电流能力高达100A，适用于高功率密度的设计。
其TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于在PCB上安装和焊接。器件的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的驱动灵活性，并且具备较强的抗干扰能力。
该MOSFET适用于多种应用场景下的高频开关操作，如DC-DC转换器、负载开关、马达控制、电源管理系统等。由于其高可靠性和优异的热稳定性，PJS6415也广泛应用于汽车电子和工业控制领域。
PJS6415主要应用于需要高电流和低导通电阻的功率MOSFET场合。典型应用包括但不限于：同步整流型DC-DC转换器、负载开关电路、电机驱动系统、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、LED照明驱动器以及工业自动化控制设备。此外，该器件也可用于汽车电子系统中的各种功率控制应用，如车载充电器、启动电机控制等。
SiR142DP, FDP6675, IRF1405, PSMN150-06PL, IPD65R045CFD
