RSH110N03TB 是一款基于硅技术的 N 沃特 (N-Channel) 功率 MOSFET,采用 TOLL 封装形式。该器件专为高效率开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关性能。其出色的热性能和电气特性使其适用于多种功率转换场景。
该 MOSFET 的额定电压为 30V,能够满足各种工业和消费类电子设备的需求,同时提供高可靠性和稳定性。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:110A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:95nC
输入电容:2800pF
总功耗:17W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
RSH110N03TB 提供了以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力,增强在异常情况下的稳健性。
3. 快速开关速度,适合高频应用。
4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
5. 支持高温操作,适应恶劣环境。
6. TOLL 封装具备卓越的散热性能和机械强度。
这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域:
1. 服务器和通信电源中的 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动与控制电路。
3. 电动车充电基础设施及车载充电器。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 开关模式电源 (SMPS) 和 PFC (功率因数校正) 应用。
6. 高电流负载开关和保护电路。
RFP110N03LT, IRF3205, STP110N3LLH5