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RSH110N03TB 发布时间 时间:2025/7/4 5:30:56 查看 阅读:10

RSH110N03TB 是一款基于硅技术的 N 沃特 (N-Channel) 功率 MOSFET,采用 TOLL 封装形式。该器件专为高效率开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关性能。其出色的热性能和电气特性使其适用于多种功率转换场景。
  该 MOSFET 的额定电压为 30V,能够满足各种工业和消费类电子设备的需求,同时提供高可靠性和稳定性。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:110A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:95nC
  输入电容:2800pF
  总功耗:17W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

RSH110N03TB 提供了以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,增强在异常情况下的稳健性。
  3. 快速开关速度,适合高频应用。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  5. 支持高温操作,适应恶劣环境。
  6. TOLL 封装具备卓越的散热性能和机械强度。

应用

这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域:
  1. 服务器和通信电源中的 DC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动与控制电路。
  3. 电动车充电基础设施及车载充电器。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  5. 开关模式电源 (SMPS) 和 PFC (功率因数校正) 应用。
  6. 高电流负载开关和保护电路。

替代型号

RFP110N03LT, IRF3205, STP110N3LLH5

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