STB90NF03L是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高电流、低电压应用设计,具有低导通电阻(Rds(on))和良好的热性能,适用于汽车电子、工业控制、电源管理及负载开关等场合。STB90NF03L采用PowerFLAT 5x6封装,具有良好的散热能力,能够在高负载条件下稳定工作。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):80A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on)):5.8mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
封装类型:PowerFLAT 5x6
STB90NF03L具备多项优异特性,首先是其极低的导通电阻,在Vgs=10V时仅为4.5mΩ,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该MOSFET具有高电流承载能力,连续漏极电流可达80A,适用于高功率密度设计。器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平(可支持4.5V驱动),简化了驱动电路设计。
在热管理方面,PowerFLAT 5x6封装提供了出色的热性能,确保器件在高负载条件下仍能维持稳定工作。STB90NF03L还具备良好的雪崩能量耐受能力,增强了在突发负载或开关瞬态下的可靠性。
该MOSFET适用于高温环境,工作温度范围宽达-55°C至175°C,适合在汽车和工业应用中使用。其高可靠性、低损耗和优异的热稳定性使其成为高效率电源转换和电机控制应用的理想选择。
STB90NF03L广泛应用于多种高功率、低电压系统中。其主要应用包括汽车电子中的电机驱动、电池管理系统、DC-DC转换器以及负载开关控制。在工业领域,该器件常用于伺服电机控制、工业自动化设备、UPS(不间断电源)和电源管理模块。此外,由于其低导通电阻和高电流能力,STB90NF03L也非常适合用于高效率同步整流器和功率因数校正(PFC)电路。该器件还可用于高功率LED照明驱动和新能源系统中的功率转换部分。
STP80NF03L, STB90N3LLH6, FDP80N03SL, IRF9540N