时间：2025/4/30 14:58:07
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RSFD2502C是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效功率转换和低导通损耗的应用场景。其主要特点是具有极低的导通电阻和高开关速度，能够显著提升系统的效率和性能。
RSFD2502C通过优化的芯片设计和制造工艺，提供了出色的热特性和电气特性，使其在高频开关应用中表现优异。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：1.9mΩ
栅极电荷：47nC
输入电容：1320pF
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻，降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关特性，适合高频应用。
3. 良好的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
4. 高电流承载能力，支持大功率应用。
5. 符合RoHS标准，环保设计。
6. 可靠的短路保护能力，延长器件使用寿命。
7. 小型化封装，节省PCB空间，简化散热设计。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备
6. 通信电源
7. 汽车电子中的负载切换
8. 太阳能逆变器及储能系统
9. LED驱动器
IRFZ44N, STP20NF55, FDP16N55
