时间：2025/5/9 8:56:18
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RSFD2501C 是一款高性能的 N 沃特（N-Channel）功率场效应晶体管（MOSFET），采用先进的硅工艺制造。该器件适用于高频开关应用和功率转换系统，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
RSFD2501C 通常用于电源管理领域，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及 LED 驱动等应用。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：7nC
开关频率：最高可达 2MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率传输并减少了功率损耗。
2. 高速开关能力使得 RSFD2501C 在高频电路中表现出色。
3. 小型化的 SOT-23 封装降低了 PCB 占用面积，并简化了设计布局。
4. 出色的热稳定性确保在宽广的工作温度范围内保持一致的性能。
5. 具有良好的电气耐受性，能够承受瞬态过压和浪涌电流。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电池保护电路中的负载开关。
3. 电机控制与驱动电路。
4. LED 驱动器中的电流调节。
5. 各种消费类电子产品的便携式设备中的电源管理模块。
6. 通信设备中的信号切换功能。
IRF7412, AO3400A
