时间：2025/7/30 19:05:32
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BLF178XR,112 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的射频（RF）功率晶体管，专为高功率放大应用而设计。该器件属于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术家族，适用于工作频率在880 MHz至960 MHz之间的蜂窝通信系统，如GSM、CDMA和LTE等。这款晶体管具有优异的线性度和高效率，使其成为基站和无线基础设施中广泛应用的关键组件。
类型：LDMOS RF功率晶体管
工作频率：880 MHz - 960 MHz
输出功率：约100 W
增益：约18 dB
效率：约60%
漏极电流（Id）：最大1.2 A
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：ABP（Advanced Bipolar Package）
BLF178XR,112 是一款性能优异的LDMOS射频功率晶体管，适用于高功率和高频率的应用环境。该器件在880 MHz至960 MHz频率范围内提供了高达100 W的输出功率，并具有大约18 dB的增益，确保了信号的高效放大。
其高效率特性（约60%）不仅降低了能耗，还减少了热量的产生，提高了系统的可靠性和稳定性。此外，BLF178XR,112 在工作温度范围上表现优异，能够在-65°C至+150°C的极端环境下正常运行，这使其适用于各种严苛的工业和户外环境。
该晶体管采用了先进的ABP封装技术，这种封装方式优化了散热性能，同时减小了器件尺寸，便于集成到紧凑的电路设计中。BLF178XR,112 还具备良好的线性度，能够减少信号失真，提高通信质量，特别适用于多载波和宽带通信系统。
此外，该器件的高可靠性和耐用性使其成为基站、无线通信基础设施、工业设备和测试仪器等应用的理想选择。其高增益和高效能特性也降低了对外部电路的需求，从而简化了设计流程，降低了系统成本。
BLF178XR,112 主要应用于蜂窝通信系统的基站设备，包括GSM、CDMA和LTE等标准。此外，它也适用于其他需要高功率射频放大的场景，如无线基础设施、工业设备、测试和测量仪器以及广播设备等。
BLF178X
