类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：80A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247

TF068SM 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件采用了东芝先进的U-MOS技术，提供更高的电流处理能力和更小的芯片尺寸，从而在相同功率条件下实现更紧凑的设计。
　　此外，TF068SM 具有良好的热稳定性和较高的雪崩耐受能力，使其在高应力工作环境下（如电机驱动或DC-DC转换器）仍能保持可靠运行。该MOSFET的栅极设计允许在较宽的栅压范围内稳定工作，适用于多种驱动电路配置，包括PWM控制和同步整流应用。
　　在封装方面，TO-247封装具有良好的散热性能，适用于需要高功率耗散的应用。该封装还便于安装散热片，从而进一步提高器件在高电流工作状态下的热管理能力。TF068SM 的开关速度快，有助于提高开关电源的工作频率，从而减小电感和电容的尺寸，实现更高的功率密度。

TF068SM 适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机控制与驱动、电动车充电器、工业自动化设备、LED照明驱动以及负载开关电路等。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，TF068SM 特别适合用于高效率电源转换系统，例如在服务器电源、通信设备电源和工业控制模块中，作为主开关或同步整流器使用。在电机控制应用中，该器件可用于H桥电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。
　　在电动车和储能系统中，TF068SM 可作为电池管理系统（BMS）中的关键开关元件，用于控制充放电路径，提高系统的安全性和能效。同时，其优异的热性能和耐久性也使其适用于高温环境下的长期运行。

TK80E60X, IRF1405, STP80NF55