时间：2025/6/21 10:52:12
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RSD221N06TL 是一款 N 沣道 场效应晶体管（MOSFET），由 STMicroelectronics 生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于各种功率转换和电机驱动应用。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-220AB，这种封装形式可以有效提升散热性能，并且便于安装在印刷电路板上或与散热片结合使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：138A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：79nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ to 175℃
RSD221N06TL 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 1.8mΩ，这使得其在高电流应用中表现出色，能够显著减少功率损耗。
此外，它还具备较高的连续漏极电流能力，最高可达 138A，在大功率场景下保持稳定运行。
这款 MOSFET 的栅极电荷较低，只有 79nC，因此能够实现更快的开关速度并降低驱动功耗。
它的额定工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃，能够在极端环境下可靠运行，适合工业及汽车级应用需求。
TO-220AB 封装设计确保了良好的热管理性能，使其能够适应高功率密度的应用场合。
RSD221N06TL 广泛应用于需要高效功率控制的领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电动车辆 (EV) 和混合动力车辆 (HEV) 的电机控制器。
3. 工业设备中的变频器和伺服驱动器。
4. 大功率 LED 驱动器和太阳能逆变器。
5. 各种电池管理系统 (BMS) 中的保护电路和充放电控制部分。
RSD210N06TLD, RSD200N06TLD, IRF2807Z
