时间：2025/9/15 2:42:05
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PHPT61003NYX 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频率、高效率的电源转换应用设计。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，使其适用于如 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关和电机控制等应用场景。PHPT61003NYX 采用紧凑的封装形式，有助于节省电路板空间，同时确保良好的热性能。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：18A
导通电阻 Rds(on)：10.5mΩ（典型值）
功耗（Pd）：48W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：PowerPAK SO-8 双散热片封装
PHPT61003NYX 具有多个显著的技术特性，首先其采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。在典型工作条件下，该器件的 Rds(on) 仅为 10.5mΩ，这使其在高电流应用中表现优异。此外，该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，栅源电压容限为 ±20V，确保了其在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
该器件支持高达 18A 的连续漏极电流，使其适用于高功率密度设计。PHPT61003NYX 的封装形式为 PowerPAK SO-8 双散热片封装，不仅体积小巧，而且具备出色的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的热稳定性。这种封装形式也简化了 PCB 布局，提升了整体设计的紧凑性。
PHPT61003NYX 还具备快速的开关速度，有助于降低开关损耗，提高电源转换效率。其内部结构优化了寄生电容，从而提升了高频工作下的性能表现。此外，该器件的热阻较低，能够在高功率操作时有效传导热量，延长使用寿命。
PHPT61003NYX 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种严苛环境下的应用，包括工业控制、汽车电子和消费类电子产品。该器件的可靠性和耐用性经过严格测试，符合 AEC-Q101 汽车电子标准，适合用于车载系统。
PHPT61003NYX 主要应用于需要高效能功率管理的电子系统中。它特别适合用于同步整流器拓扑结构，例如在高频率 DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流元件。由于其低导通电阻和快速开关特性，该 MOSFET 在电池供电设备中可提高能量转换效率，延长电池寿命。
在电源管理领域，PHPT61003NYX 可广泛用于笔记本电脑、服务器和电信设备中的多相供电系统。它的高电流处理能力和良好的热性能使其成为负载开关、电机驱动器和电源保护电路的理想选择。
在汽车电子系统中，PHPT61003NYX 可用于车载充电器、DC-DC 转换器以及车身控制模块中的高侧或低侧开关。其符合 AEC-Q101 标准的特性确保其在汽车严苛环境下的稳定运行。
此外，该 MOSFET 也适用于 LED 照明系统的电源控制、工业自动化设备中的电机驱动以及智能电表等应用。
SiSS68DN, BSC010N03MSG, IPD65R019C6, NVTFS5C471NL
