时间：2025/6/27 1:37:39
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GJM0335C1H6R7CB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于沟槽型 MOSFET 产品系列。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
该器件通过优化的结构设计，有效降低了开关损耗和导通损耗，从而提升了整体效率。其封装形式为行业标准的小型封装，适合高密度设计需求。
型号：GJM0335C1H6R7CB01D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：6.5mΩ
栅极电荷(Qg)：39nC
总电容(Ciss)：1350pF
工作温度范围：-55°C to +175°C
GJM0335C1H6R7CB01D 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，栅极电荷小，有助于减少开关损耗。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 优异的热稳定性，确保在高温环境下保持高效运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 提供强大的浪涌电流能力，适合各种严苛的工作环境。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的高频整流与开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流和主开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关应用。
GJM0335C1H6R7CB01B, GJM0335C1H6R7CB01A
