时间：2025/6/30 9:57:38
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RSD200N05是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景，具有较低的导通电阻和较高的电流承受能力，适合于中高功率的应用环境。
该MOSFET具备快速开关特性和良好的热性能，适用于需要高效能和可靠性的电路设计。
最大漏源电压：50V
最大漏极电流：200A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：48nC
开关速度：快速
封装形式：TO-220
RSD200N05具有以下特点：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达200A的漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，确保在高负载条件下的可靠运行。
5. 栅极电荷较小（48nC），有助于提高驱动效率并简化驱动电路设计。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代工业生产要求。
RSD200N05广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 逆变器
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统中的功率管理
7. 其他需要高性能功率开关的场合
IRFZ44N
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