时间：2025/6/17 4:46:26
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GJM0223C1C3R8DB01D是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的封装技术，能够提供卓越的热性能和电气特性，广泛应用于电源转换、通信设备以及工业驱动等领域。
这款功率晶体管具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频工作条件下显著降低能量损耗，同时提高系统效率。此外，其强大的散热能力确保了在高负载条件下的稳定运行。
型号：GJM0223C1C3R8DB01D
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ
栅极电荷（Qg）：95nC
输入电容（Ciss）：2200pF
输出电容（Coss）：75pF
反向传输电容（Crss）：12pF
开关频率：高达 5MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 基于氮化镓（GaN）材料，具有优异的高频特性和低损耗。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
4. 强大的散热能力，支持长时间高负载运行。
5. 高可靠性和稳定性，适合恶劣环境下的应用。
6. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型电子系统中。
7. 宽广的工作温度范围，增强了产品的适应性。
8. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，提高了系统的安全性。
1. 高频开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电设备
4. 太阳能逆变器
5. 电动车辆牵引逆变器
6. 工业电机驱动
7. 通信基站电源
8. 数据中心高效电源模块
9. 消费类快充适配器
GJN0223C1C3R8DB01D
GJM0223C1C3R8DB02D
GJL0223C1C3R8DB01D
