时间：2025/6/21 18:36:05
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RSD175N10是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能开关的电力电子设备中。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。其封装形式通常为TO-220或DPAK，适用于多种工业和消费类应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：17.5A
导通电阻（典型值）：6.5mΩ
栅极电荷：48nC
开关速度：快速
功耗：39W
工作温度范围：-55℃至+150℃
RSD175N10具备低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
它还拥有较高的雪崩能量承受能力，能够在异常条件下保护电路。
由于其快速开关性能，这款MOSFET非常适合高频开关应用，例如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理模块。
此外，RSD175N10的设计使其能够适应恶劣的工作环境，包括高温和高湿度条件。
该器件常见于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、电动工具驱动以及汽车电子系统等应用领域。
在电信设备中，RSD175N10可用于负载切换和电池管理。
消费类电子产品如笔记本电脑适配器和家用电器也经常使用这种功率MOSFET来实现高效的能源转换和控制。
RSD170N10,
RFP17N10,
IRFZ44N
