时间：2025/6/16 9:14:41
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HV1E687M0810PZ 是一款高性能、高电压的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关性能的特点，能够在高频条件下提供高效的功率转换。
该型号中的 HV 表示高电压系列，E687 指代特定的产品族和设计版本，而 M0810 则表示其封装类型和电气参数范围，最后的 PZ 标识可能代表生产批次或特殊处理版本。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：50nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
HV1E687M0810PZ 的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压：高达 800V 的漏源电压，适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在同类高电压 MOSFET 中表现出较低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少导通损耗。
3. 快速开关能力：优化的栅极电荷设计使其能够以较高速度切换状态，适合高频开关应用。
4. 热稳定性强：支持宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，即使在极端条件下也能保持稳定运行。
5. 高可靠性：通过多种质量认证测试，确保长期使用中的可靠性。
HV1E687M0810PZ 广泛应用于需要高电压和大电流的场景中，例如：
1. 开关电源 (SMPS) 和逆变器。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 电动车和混合动力汽车中的电力电子系统。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 高压 LED 驱动和负载开关。
由于其出色的电气特性和热性能，这款器件非常适合要求苛刻的工业和汽车级应用。
IRFP460, STP12NK60Z, FQA14P80B
