型号：RSD080P05FRA
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-80V
　　最大连续漏极电流（ID）：-17A（@Tc=25℃）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-50A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：8.0mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(on)）：10.5mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（Vth）：-2.0V ~ -3.5V
　　输入电容（Ciss）：2450pF @ VDS=0V
　　输出电容（Coss）：680pF @ VDS=0V
　　反向恢复时间（trr）：未内置快恢复二极管
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　安装方式：表面贴装SMD/SMT

RSD080P05FRA采用先进的沟槽型MOSFET技术，具有极低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为8.0mΩ（在VGS=-10V时），这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。这一特性使其非常适合用于对功耗敏感的应用场合，如笔记本电脑电源管理、移动电源系统以及电池供电的便携式医疗设备。由于其低RDS(on)，即使在大电流负载下也能保持较低的温升，从而减少散热设计的复杂性，并提升系统长期运行的可靠性。
　　该器件具备良好的热稳定性和高电流承载能力，在TC=25℃条件下可支持高达-17A的连续漏极电流，并能在短时间内承受-50A的脉冲电流，展现出卓越的瞬态响应能力。这种高电流处理能力使得RSD080P05FRA能够在电机启动、电源上电冲击等高瞬态负载场景中可靠工作。同时，其最大漏源电压达到-80V，能够适应较宽的输入电压范围，适用于多种直流电源系统，包括12V、24V乃至部分48V工业电源架构。
　　RSD080P05FRA采用PowerPAK SO-8封装，这是一种无引线的小外形封装，具有优异的热传导性能和电流传输能力。相比传统的SO-8封装，PowerPAK SO-8通过底部裸露焊盘有效降低热阻，提升散热效率，确保器件在高功率密度环境下仍能维持安全的工作温度。该封装还支持自动化贴片生产，有利于提高制造良率和降低组装成本。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为-2.0V至-3.5V，使其能够在逻辑电平信号直接驱动下正常工作，适用于由微控制器或专用电源管理IC直接控制的开关电路。其输入电容约为2450pF，输出电容为680pF，属于中等水平，能够在开关速度与驱动功耗之间取得良好平衡，适合中高频开关应用。此外，该器件未集成快恢复体二极管，因此在需要快速反向恢复的应用中需外接肖特基二极管进行辅助。
　　RSD080P05FRA通过AEC-Q101车规认证，表明其经过严格的温度循环、高温反偏、高压应力等多项可靠性测试，能够在-55℃至+150℃的极端温度范围内稳定工作，适用于汽车引擎舱内的电子控制单元（ECU）、车载充电机（OBC）、车身控制模块等对可靠性和寿命要求极高的应用场景。

RSD080P05FRA广泛应用于各类需要高效电源开关控制的电子系统中。典型应用包括：电池管理系统（BMS）中的充放电路径控制、高侧或低侧负载开关、热插拔控制器、DC/DC降压与升压变换器的同步整流、电机驱动电路中的功率开关、逆变器与UPS电源系统、工业PLC模块以及汽车电子中的电源分配网络。其低导通电阻和高电流能力也使其适用于服务器电源、通信基站电源模块和LED驱动电源等高功率密度场合。此外，得益于其AEC-Q101认证，该器件在新能源汽车、智能驾驶辅助系统和车载信息娱乐系统中也有广泛应用前景。

RSD080P05FPA
　　RSA080P05FRA
　　RSB080P05FRA
　　Si9435BDY-T1-E3
　　IRF9Z34NPBF