IXFN26N90K 时间：2025/8/5 20:45:07 阅读：20

IXFN26N90K是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道增强型MOSFET，主要用于需要高电压和高电流处理能力的功率电子应用中。这款MOSFET具备优异的导通性能和快速开关特性，适用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：26A
　　最大漏-源电压：900V
　　最大栅极电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.24Ω
　　功耗（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

IXFN26N90K的主要特性包括其高电压耐受能力、低导通电阻以及出色的热稳定性。高耐压设计使其适用于高压直流和交流系统。低导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，该器件采用了先进的平面技术，提供优异的可靠性和耐用性。它还具备快速开关能力，降低了开关损耗，并允许在高频应用中使用。
　　该MOSFET封装设计优化了散热性能，确保在高功率操作时保持稳定的温度。此外，IXFN26N90K具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持正常工作，从而提高系统的稳定性与安全性。其栅极驱动要求较低，可以与标准的MOSFET驱动器兼容，简化了电路设计。