类型：肖特基二极管
　　配置：单只二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　平均整流电流（IO）：1.0A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：850mV（@ IF=1A, TA=25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：400μA（@ VR=60V, TA=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：2

RSB16F2T106作为一款高性能的肖特基势垒二极管，具备多项关键特性以满足现代电子系统对效率、可靠性和小型化的严苛要求。首先，其低正向导通压降是该器件的核心优势之一。在1A的工作电流下，典型正向压降仅为850mV，显著低于传统PN结二极管（通常在1V以上）。这一特性意味着在相同工作条件下，RSB16F2T106产生的导通损耗更低，从而有效提升电源转换效率，减少发热，延长系统寿命。这对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并降低散热设计复杂度。
　　其次，该器件具备优异的开关速度。由于肖特基二极管是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计。这使得RSB16F2T106在高频开关电源（如DC-DC转换器）中表现出色，可大幅减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。此外，快速的响应能力也使其成为理想的续流二极管，在电感性负载断开时迅速提供电流回路，防止电压尖峰损坏其他元件。
　　再者，RSB16F2T106采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），非常适合高密度PCB布局，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间极为敏感的应用场景。尽管体积小，但其封装设计优化了热传导路径，确保在1A持续电流下仍能有效散热。同时，该器件通过AEC-Q101车规级可靠性测试，表明其在极端温度循环、湿度、机械振动等恶劣环境下仍能保持长期稳定运行，因此也广泛应用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动和车身控制模块中。
　　最后，RSB16F2T106具有较高的反向击穿电压裕量（60V），可在12V或24V系统中安全使用，并具备30A的峰值浪涌电流承受能力，能够应对启动瞬间或负载突变时的瞬态电流冲击。综合来看，该器件在效率、速度、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是中低功率电源应用中的理想选择。

RSB16F2T106因其高效的整流性能和紧凑的封装形式，被广泛应用于多种电子系统中。主要应用领域包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等设备的充电管理电路和DC-DC降压转换器中，用作输出整流或同步整流的辅助二极管。在这些高频开关电源中，其低正向压降和快速恢复特性有助于提高转换效率，减少发热，延长电池使用寿命。此外，该器件常用于AC-DC适配器和USB电源模块中的次级侧整流环节，特别是在小功率电源（5W~30W）中替代传统快恢复二极管，以提升整体能效并满足能源之星等能效标准。
　　在工业控制和通信设备中，RSB16F2T106可用于隔离电源的反馈回路、继电器驱动电路的续流保护以及信号线路的反接保护。当电感负载（如继电器线圈或电机）断电时，会产生反向电动势，RSB16F2T106可为感应电流提供泄放路径，防止高压击穿驱动晶体管或IC。在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）供电电路中，它也常被用作电源路径切换二极管，实现多电源之间的无缝切换或防倒灌功能。
　　由于该器件通过AEC-Q101认证，因此在汽车电子领域也有广泛应用。例如，在车载摄像头、仪表盘显示模块、车内照明控制系统和远程无钥匙进入系统中，作为电源整流和瞬态电压抑制元件。其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）确保在发动机舱附近高温环境或寒冷气候下仍能可靠工作。此外，RSB16F2T106还可用于太阳能充电控制器、LED驱动电源和小型UPS不间断电源系统中，发挥其高效、耐用的优势。

RB751V-60、SS16F-60、SK16F-60、SR1A60