RS3JB 时间：2025/9/6 11:42:25 阅读：35

RS3JB 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的热稳定性，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：200A（在 Tc=25°C）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

RS3JB 的核心优势在于其极低的导通电阻，在 Vgs=10V 时，Rds(on) 通常仅为 3.7mΩ，这可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备良好的热性能和电流处理能力。
　　该 MOSFET 具有快速开关特性，适合高频应用，开关损耗较低。其封装形式为 TO-263（D2PAK），是一种表面贴装型封装，便于自动化生产和良好的散热设计。器件内置的栅极保护二极管提高了其在高噪声环境下的可靠性。
　　RS3JB 还具有高雪崩耐量，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，增强系统的鲁棒性。其高可靠性设计使其适用于汽车电子、工业控制等严苛环境。

应用

RS3JB 常见于各种高功率密度和高效率的电源系统中，例如：服务器电源、电信电源设备、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统以及汽车电子中的功率控制模块等。
　　由于其优异的热管理和导通性能，该器件也常用于多相电源设计和并联使用以实现更高的电流输出能力。此外，在需要高可靠性和高效率的工业自动化设备中，RS3JB 同样是一个理想选择。