型号：FK30SM5
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：500V
　　栅源电压VGS：±30V
　　连续漏极电流ID：30A @ 25°C
　　脉冲漏极电流IDM：120A
　　导通电阻RDS(on)：0.075Ω @ VGS = 10V
　　阈值电压VGS(th)：4V ~ 6V
　　输入电容Ciss：1900pF @ VDS = 250V
　　输出电容Coss：280pF @ VDS = 250V
　　反向恢复时间trr：45ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

FK30SM5具备优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻RDS(on)仅为0.075Ω，在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高电源系统的整体效率。该器件采用先进的沟槽栅极技术，优化了载流子迁移路径，从而实现了更低的导通电阻和更高的电流处理能力。同时，由于其较高的跨导和较低的栅极电荷（Qg），FK30SM5在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损耗，提升转换效率。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和长期可靠性，能够在高达+150°C的结温下持续工作，适用于高温严苛环境下的功率管理设计。其TO-220F封装不仅提供了优良的散热通道，还支持绝缘安装，便于在不同电路拓扑中灵活布局。此外，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩击穿能力，可在突发电压冲击下维持正常工作，避免因瞬态过压导致的器件损坏。
　　在EMI控制方面，FK30SM5通过合理设计寄生参数，降低了开关过程中产生的电磁干扰，有助于满足各类电磁兼容性标准。其栅极阈值电压范围适中（4V~6V），兼容多种驱动电路设计，包括常见的PWM控制器输出信号。此外，该器件对dv/dt和di/dt的耐受能力强，能够在快速切换状态下保持稳定运行，适用于LLC谐振变换器、PFC电路以及半桥/全桥拓扑结构中的主开关元件。综合来看，FK30SM5是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适合对效率和稳定性要求较高的现代电力电子系统。

FK30SM5广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，如AC-DC适配器、服务器电源、工业电源模块以及LED照明驱动电源等。由于其高耐压（500V）和大电流承载能力，特别适用于PFC（功率因数校正）升压电路中的主开关管，能够有效提升功率因数并降低输入电流谐波含量，满足能源效率标准（如Energy Star、80 PLUS）。
　　在DC-DC转换器中，FK30SM5可用于隔离型拓扑结构（如正激、反激、推挽和全桥）中的初级侧开关，凭借其低导通损耗和快速开关特性，实现高效的能量传输和较小的温升。此外，在电机控制系统中，该器件可作为H桥或半桥驱动电路的核心开关元件，用于控制直流电机或步进电机的转向与调速，尤其适用于工业自动化设备和家用电器中的电机驱动模块。
　　该MOSFET也常见于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，承担直流到交流的能量转换任务。其高耐压能力和强抗干扰特性使其能在电网波动或负载突变的情况下保持稳定运行。另外，在太阳能微逆变器和小型风力发电系统的并网逆变环节中，FK30SM5可用于实现高效的MPPT（最大功率点跟踪）控制，提升新能源系统的发电效率。
　　得益于其优良的热性能和封装设计，FK30SM5还可用于紧凑型高密度电源设计，例如通信基站电源、医疗设备电源以及车载充电装置等领域。总之，凡涉及高压、大电流、高频率开关操作的应用场景，FK30SM5均能提供可靠的性能保障和设计灵活性。

K30A50D, K30T50, 2SK30ATM