RS3GA-TR 是一款由 Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于各种高频率、高效率的功率转换应用,如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等。RS3GA-TR 采用小型化封装,具备良好的热性能和低导通电阻特性,适用于便携式设备和高密度电源系统。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5.3A
导通电阻(RDS(on)):50mΩ @ VGS=10V
功率耗散(PD):2.5W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOP-8
RS3GA-TR 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力,使其在高效率电源应用中表现出色。其 50mΩ 的 RDS(on) 值显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,RS3GA-TR 采用 SOP-8 封装,具有良好的散热性能,能够在有限的空间内实现高效的功率处理能力。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V,确保在各种工作条件下都能稳定运行。其高电流能力(5.3A)使其适用于负载开关和中等功率的 DC-DC 转换器设计。
RS3GA-TR 还具备出色的热稳定性,能够在高温环境下保持良好的性能,适合工业级和汽车电子应用。其小型封装设计也有助于提高 PCB 布局的灵活性,降低整体系统体积。
RS3GA-TR 广泛应用于多个领域,包括电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制、电池供电设备、服务器电源和工业自动化设备。其高效率和小型封装使其特别适合空间受限的设计,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中的电源管理电路。
在电池管理系统中,RS3GA-TR 可用于控制充放电路径,确保电池的安全和高效运行。在 DC-DC 转换器中,该器件的低 RDS(on) 特性有助于提高转换效率,降低系统功耗。此外,在工业控制系统中,RS3GA-TR 可用于驱动继电器、LED 显示屏和传感器等负载。
Si2302DS, FDS6675, AO3400