PTVS45VS1UR 时间：2025/7/12 15:29:13 阅读：13

PTVS45VS1UR是一种基于硅技术的高速瞬态电压抑制（TVS）二极管，主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击浪涌等过电压事件的影响。它具有低电容特性，适合用于高速数据线和射频信号线路的保护。该器件采用SOD-323封装，体积小巧且易于安装。
　　PTVS45VS1UR以其高可靠性、快速响应时间和低漏电流而著称，适用于各种消费类电子产品、通信设备以及工业控制系统的电路保护。

参数

最大反向工作电压：5.8V
　　击穿电压：6V
　　最大箝位电压：10.1V
　　峰值脉冲电流：9.4A
　　反向泄漏电流：1μA（最大值，在VRWM下）
　　结电容：7pF（典型值）
　　响应时间：1ps（典型值）
　　存储温度范围：-65℃至+150℃
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

PTVS45VS1UR具备以下显著特性：
　　1. 快速响应时间，能够迅速抑制瞬态过电压。
　　2. 低结电容设计，适合高速信号线路保护。
　　3. 高度可靠，能够在恶劣环境下保持稳定性能。
　　4. 小型化封装，节省PCB空间。
　　5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
　　6. 良好的重复使用能力，确保长期保护效果。
　　7. 宽工作温度范围，适应各种应用场景。

应用

PTVS45VS1UR广泛应用于以下领域：
　　1. USB接口保护
　　2. HDMI接口保护
　　3. 以太网端口保护
　　4. 移动设备数据线保护
　　5. 工业控制系统信号线保护
　　6. 无线通信设备射频前端保护
　　7. 消费类电子产品中的ESD防护
　　8. 汽车电子系统中的瞬态电压抑制
　　其小巧的外形和优异的性能使其成为现代电子设备中不可或缺的保护元件。