时间：2025/8/24 13:04:17
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RS3B-TR 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用小型 TSMT（TSSOP）封装，适合需要高密度和高性能的应用场景。RS3B-TR 设计用于低电压、高电流的开关操作，具备良好的导通电阻和开关特性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：3.1A
最大漏-源电压 (VDS)：20V
最大栅-源电压 (VGS)：12V
导通电阻 (RDS(on))：0.15Ω（典型值）
栅极电荷 (Qg)：8nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSMT（TSSOP）
RS3B-TR MOSFET 具备多项优良特性，包括低导通电阻（RDS(on)）以减少导通损耗，从而提高电源效率。其低栅极电荷（Qg）有助于降低开关损耗，使该器件适用于高频开关应用。此外，RS3B-TR 采用 TSMT 封装，具有较小的体积和良好的热性能，适用于空间受限的设计。
该器件还具有较高的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能。Renesas 为其提供详细的数据手册和应用指南，方便工程师进行设计和选型。RS3B-TR 还具备较强的过载和瞬态响应能力，适用于多种电源管理场景。
RS3B-TR 广泛应用于各类电力电子设备中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、便携式设备电源管理和电机控制电路。由于其低导通电阻和高频响应能力，它也常用于高效率的开关电源（SMPS）和 LED 驱动电路中。在汽车电子系统中，RS3B-TR 可用于车载充电器、DC-AC 逆变器和电动工具控制模块。
Si2302DS, AO3400A, FDS6675
