时间：2025/6/30 10:49:34
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DVTR28515T/ES 是一款高性能、低功耗的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备出色的导通电阻和快速开关性能，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
该型号特别适合需要高效率和小尺寸设计的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。其封装形式通常为表面贴装类型，便于自动化生产。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：46A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：770pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263-3
DVTR28515T/ES 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，非常适合现代高效电源管理需求。
3. 高雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 紧凑型封装设计，有助于减少 PCB 占用面积。
5. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该 MOSFET 器件适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护电路。
4. 工业设备中的电机驱动与控制。
5. 通信基础设施中的功率分配网络。
6. 消费类电子产品中的充电器和适配器设计。
IRF2807,
STP36NF06,
FDP55N06,
IXYS28N06L
