时间：2025/8/24 12:50:38
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RS3AA-TR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种电源管理和开关应用中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和功率放大器等电路设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：100mA（@Vgs=10V）
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.0Ω（@Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
RS3AA-TR 的主要特性包括低导通电阻、高可靠性、良好的热稳定性以及快速开关性能。其 SOT-23 小型封装使其适用于空间受限的设计。该 MOSFET 具有优异的抗静电能力（ESD）和高耐用性，适合在恶劣环境下使用。此外，RS3AA-TR 的低栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。其设计支持在高频率下稳定运行，适用于高频 DC-DC 转换器和高效电源管理应用。
RS3AA-TR 常用于便携式电子产品、智能手机、数码相机、无线通信设备、电池管理系统、电源管理模块、负载开关控制和小型 DC-DC 转换器等应用中。其高效率和小尺寸使其成为低功耗设备的理想选择。
2N7002, BSS138, 2N3904
