时间：2025/4/3 9:54:28
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RS2TG513N是一种高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频应用中提供高效率和出色的热性能。
RS2TG513N采用先进的制造工艺，优化了其动态特性和静态参数，适合需要高效能和可靠性的工业及消费类电子设备。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ (在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot)：15W
结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
输入电荷(Qg)：45nC
栅极电荷(Qgs)：25nC
反向恢复时间(trr)：95ns
封装形式：TO-220FP
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可以减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度和较低的栅极电荷Qg，有助于降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常工作条件下具备良好的鲁棒性。
4. 优化的热阻设计，能够有效散发热量，提升器件的长期可靠性。
5. 兼容标准的TO-220FP封装，便于安装和替换现有设计中的其他MOSFET。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器，包括降压、升压和反激拓扑结构。
3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或其他类型的电动机。
4. 负载切换和保护电路，例如电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的功率级驱动和信号隔离电路。
IRFZ44N
STP18NF06L
FDP18N06S
IXYS18N06L
