时间：2025/7/4 18:31:45
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GA1206A561KBLBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于沟道增强型器件。它通常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用中，能够提供高效的功率转换和低导通电阻特性。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和热稳定性。
型号：GA1206A561KBLBR31G
类型：MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：85W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷(Qg)：55nC
GA1206A561KBLBR31G 具有低导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了效率。
其高开关速度使得它在高频应用中表现出色，同时降低了开关损耗。
具备强大的抗雪崩能力，能够在异常条件下提供额外的保护。
采用了 TO-263 封装，这种封装形式有助于良好的散热性能，并且易于安装在印刷电路板上。
由于其宽广的工作温度范围，这款 MOSFET 适用于各种恶劣环境下的工业和汽车应用。
该元器件广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器，在需要高效能量转换的地方使用。
3. 电机驱动控制，用于调节和管理电动机的速度与方向。
4. 电池管理系统(BMS)，用于监控和保护电池组。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP15U20AE
AON7902
