类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：20V
　　栅源电压 Vgs：±12V
　　连续漏极电流 Id：2A
　　漏源导通电阻 Rds(on)：≤ 85mΩ @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-523
　　

RS2MA-TR 具备多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。在 Vgs=4.5V 的条件下，Rds(on) 最大值为 85mΩ，这对于需要高效能的小型功率器件来说是一个非常有竞争力的指标。
　　其次，该器件的漏源电压（Vds）为 20V，使其适用于中等电压级别的功率转换应用，例如 DC-DC 转换器、LED 驱动器和负载开关等。栅源电压（Vgs）为 ±12V，具有良好的栅极驱动兼容性，可与多种控制器和驱动器配合使用。
　　此外，RS2MA-TR 采用 SOT-523 小型表面贴装封装，具备良好的热性能和空间利用率，适用于高密度 PCB 设计。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应广泛的工业和汽车应用环境。
　　在可靠性方面，RS2MA-TR 具备优良的抗静电能力和热稳定性，能够在高负载和频繁开关的工况下保持稳定运行，延长系统使用寿命。

RS2MA-TR 主要应用于需要高效功率控制的电子设备中。常见的应用包括电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动电路、LED 驱动器以及电池管理系统。此外，由于其良好的热性能和小型封装，该器件也常用于便携式电子产品、智能家居设备以及工业自动化控制系统中。

Si2302DS, 2N7002K, AO3400A