PXM6090 时间：2025/12/28 13:52:39 阅读：15

PXM6090 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高功率和高频率的应用场景，例如电源转换器、电机控制、DC-DC 转换器和开关电源等。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点，适合在高效率和高性能的电子系统中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流：60A
　　最大漏源电压：900V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.27Ω（最大值）
　　栅极电荷：130nC
　　功率耗散：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247

特性

PXM6090 的设计采用了先进的平面 MOSFET 技术，确保了低导通电阻和高效率的功率转换。它的高耐压能力达到 900V，使得该器件在高压系统中表现优异。此外，PXM6090 的快速开关特性显著减少了开关损耗，提高了整体系统的效率。
　　这款 MOSFET 还具备出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并通过 TO-247 封装提供良好的散热性能。其栅极驱动设计允许与标准驱动电路兼容，简化了设计和应用的复杂性。PXM6090 的这些特性使其成为工业电源、太阳能逆变器、焊接设备和电动工具等高要求应用的理想选择。
　　另外，PXM6090 还内置了抗雪崩击穿的保护功能，使其在瞬态过压条件下具备更高的可靠性。其耐用的设计和广泛的工作温度范围，使它在恶劣的工业环境中也能保持稳定运行。