RS1J-13-F 时间：2025/12/26 3:47:36 阅读：13

RS1J-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅肖特基势垒二极管，采用SOD-123FL小型封装。该器件专为高效率、低电压应用设计，广泛用于电源管理、信号整流和反向极性保护等电路中。其主要优势在于低正向电压降和快速开关特性，能够显著降低功耗并提高系统效率。RS1J-13-F的封装尺寸紧凑，适合对空间要求严格的便携式电子设备和高密度PCB布局。
　　该二极管的最大重复反向电压（VRRM）为100V，表明它适用于中等电压级别的直流电路中。由于采用了肖特基技术，该器件具备比传统PN结二极管更低的导通压降，在相同电流条件下可减少热量产生，从而提升整体能效。此外，RS1J-13-F符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。
　　在制造工艺方面，Diodes公司确保该器件具有高度一致性和可靠性，经过严格的测试流程以保证在各种工作条件下的稳定性能。器件的电极与PCB之间的连接采用镀锡引脚设计，增强了焊接可靠性和热循环耐久性。SOD-123FL封装还提供了良好的散热路径，有助于将工作时产生的热量有效传导至PCB上，进一步提升了长期运行的稳定性。

参数

最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大正向电流（IF）：1A
　　最大正向电压降（VF）：850mV @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 100V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOD-123FL

特性

RS1J-13-F的核心特性之一是其低正向电压降，在1A的工作电流下典型值仅为850mV，相比传统硅二极管通常1.0V以上的压降，显著降低了导通损耗。这一特性使其特别适用于电池供电设备或需要高效能量转换的应用场景，例如DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及反向电流阻断功能模块。较低的VF不仅减少了功率消耗，也减轻了散热设计负担，允许使用更小的PCB铜箔面积进行自然冷却。
　　另一个关键优势是其快速开关能力。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非PN结，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间几乎可以忽略不计（通常小于10ns）。这使得RS1J-13-F能够在高频开关电路中表现出色，有效防止反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），从而提升系统稳定性和电磁兼容性。在开关电源（SMPS）、AC-DC适配器和LED驱动电源中，这种特性尤为重要。
　　该器件采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，外形尺寸仅为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，非常适合空间受限的便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端。同时，该封装具有良好的热性能和机械强度，支持自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。
　　RS1J-13-F具备优良的热稳定性，可在高达+125°C的结温下持续工作，适用于工业级环境温度变化较大的应用场景。其反向漏电流在高温条件下仍保持较低水平（典型值<100μA @ 100V, 125°C），避免因漏电增加而导致的额外功耗上升。此外，器件通过AEC-Q101认证的可能性较高，适合汽车电子中的辅助电源模块使用。

应用

RS1J-13-F广泛应用于各类中小功率电源系统中，尤其是在需要高效率和小尺寸解决方案的场合。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中作为次级侧整流元件。由于其低VF和快速响应特性，能够有效提升电源的整体转换效率，尤其在轻载和中等负载条件下表现优异。
　　在DC-DC转换器模块中，RS1J-13-F常被用作续流二极管或防倒灌二极管，防止电感储能释放时产生的反向电流影响输入电源稳定性。这类应用常见于POL（Point-of-Load）电源架构、FPGA供电系统和多轨电源管理系统中。
　　此外，该器件也适用于电池充电管理电路，用于隔离主电源与备用电池之间，防止电池反向放电。在USB电源接口、移动电源、无线耳机充电仓等消费类电子产品中，RS1J-13-F凭借其小封装和高可靠性成为理想选择。
　　其他应用场景还包括信号解调、电压钳位、ESD保护辅助电路以及继电器或电感负载的反电动势吸收（飞轮二极管）。在汽车电子领域，可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的低压电源路径管理。