时间：2025/8/14 20:23:23
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RS1GW_R1_00001 是一款由Renesas（瑞萨电子）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高可靠性，适用于电源管理和负载开关等应用。该器件采用紧凑的DFN（Dual Flat No-lead）封装，适用于空间受限的设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：20V
最大栅源电压(VGS)：±8V
最大连续漏极电流(ID)：1.1A（在VGS=4.5V时）
导通电阻(RDS(on))：0.23Ω（在VGS=4.5V时）
栅极电荷(Qg)：6.3nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：DFN1006-6（1.0x0.6mm）
RS1GW_R1_00001 的核心特性在于其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备优异的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其DFN封装不仅体积小巧，还提供了良好的散热性能，适合高密度PCB布局。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），可减少开关损耗，适用于高频开关应用。RS1GW_R1_00001 还具备良好的抗静电能力，增强了器件在复杂电磁环境中的稳定性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持从2.5V至8V的栅极驱动，使其适用于多种控制电路，包括由低电压MCU直接驱动的应用。此外，其快速开关特性可提升系统响应速度，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等场景。
RS1GW_R1_00001 主要应用于便携式电子产品、智能手机、可穿戴设备、电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关电路、电池保护电路以及工业自动化控制系统中的低电压功率控制场合。
RSD1GWA01、RSD1GW02、RS1GH_R1_00001、FDMS3602、Si2301DS
