时间：2025/6/22 12:24:37
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RS1G373XH6 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，属于 N 沟道增强型器件。该元件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效开关性能的电路中。其封装形式为 TO-220，具有较高的电流处理能力和耐压能力。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：45A
功耗(PD)：180W
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：90nC
开关速度：快速
RS1G373XH6 具有较低的导通电阻和高电流承载能力，这使得它在功率转换应用中表现出色。此外，它的快速开关特性有助于减少开关损耗，从而提高整体效率。
该元件采用了先进的制造工艺，确保了更高的可靠性和稳定性。同时，其具备的热保护功能也进一步增强了器件的安全性。
由于其大功率特性和较低的 RDS(on)，RS1G373XH6 适合于高电流密度的设计场景，能够在高温环境下保持良好的性能。
RS1G373XH6 可以应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关
2. 直流/直流转换器中的同步整流
3. 电机驱动电路中的功率级
4. 工业控制设备中的负载开关
5. 照明系统中的 LED 驱动
这些应用场景充分利用了 RS1G373XH6 的高效率和低损耗特性。
IRFZ44N
STP45NF06L
FDP5800
