MD2114AL-4/B 时间：2025/10/29 23:26:10 阅读：18

MD2114AL-4/B是一款由Magnachip Semiconductor生产的高压、高耐压的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源转换、DC-DC变换器、电机驱动以及开关电源等高效率、高频率工作的电子系统中。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在高电压工作条件下实现较低的导通损耗和开关损耗，从而提高系统的整体能效。MD2114AL-4/B的额定电压为650V，适合用于通用AC-DC电源适配器、LED照明电源、家电控制模块及工业电源管理设备中。其封装形式通常为TO-220F或类似的大功率塑封封装，具有良好的热传导性能和电气隔离能力，适用于需要散热性能优异的应用场景。此外，该器件还具备高抗雪崩能力和出色的dv/dt抗扰度，能够有效应对电路中可能出现的瞬态过压和噪声干扰，提升系统运行的可靠性与稳定性。

参数

型号：MD2114AL-4/B
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：11A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：44A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.78Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω @ Vgs=10V（典型值）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　功耗（Pd）：150W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220F

特性

MD2114AL-4/B具备优异的高压处理能力和稳定的电气性能，其650V的漏源击穿电压使其适用于宽范围输入电压的开关电源设计，尤其在离线式反激变换器中表现突出。该器件采用了优化的单元结构设计，在保证高耐压的同时显著降低了导通电阻，使得在大电流工作状态下仍能保持较低的导通损耗，有助于提升电源转换效率并减少散热需求。
　　其栅极驱动特性经过精心设计，支持标准逻辑电平驱动，兼容常见的PWM控制器输出，简化了驱动电路的设计复杂度。同时，较低的栅极电荷（Qg）意味着在高频开关应用中可有效降低驱动功率损耗，提高系统整体效率。器件还具备良好的跨导（Gm）特性，增强了对负载变化的响应能力，提升了动态稳定性。
　　在可靠性方面，MD2114AL-4/B通过了严格的高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和高压应力测试，确保在恶劣工作环境下长期稳定运行。其封装采用环保材料，并符合RoHS指令要求，适用于绿色电子产品设计。内置的快速体二极管具有较短的反向恢复时间，减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），有利于满足EMC认证要求。
　　此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在意外过压或感性负载突变时吸收瞬态能量，防止器件因过压击穿而损坏，从而提高系统的鲁棒性和安全性。整体而言，MD2114AL-4/B是一款集高性能、高可靠性和良好热管理于一体的功率MOSFET，适用于多种中高功率电力电子应用场合。

应用

MD2114AL-4/B主要应用于各类中高功率开关电源系统，包括但不限于AC-DC适配器、充电器、LED恒流驱动电源、家用电器电源模块（如空调、洗衣机、微波炉等）、工业控制电源、PC电源以及太阳能逆变器中的DC-DC转换级。由于其具备高耐压和良好的开关特性，特别适合用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振变换器拓扑结构中作为主开关管使用。此外，该器件也可用于电机驱动电路中的低端开关控制，例如小型直流电机或步进电机的驱动应用。在LED照明领域，MD2114AL-4/B可用于隔离型恒流电源设计，提供稳定高效的能量转换。其高可靠性也使其成为工业自动化设备、智能电表和通信电源模块中的优选功率开关器件。