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RS1G180MNTB 发布时间 时间:2025/12/25 11:09:48 查看 阅读:17

RS1G180MNTB是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的单通道模拟开关。该器件采用小型封装,适用于需要低导通电阻和低功耗的便携式电子设备。RS1G180MNTB基于先进的CMOS工艺制造,具有出色的信号传输性能和稳定性,能够在宽电压范围内正常工作。其主要功能是控制模拟或数字信号的通断,广泛应用于音频信号切换、传感器信号路由、电池供电设备以及其他对空间和功耗敏感的应用场景中。
  该芯片设计紧凑,支持高速开关操作,并具备良好的抗噪能力,确保在复杂电磁环境中稳定运行。RS1G180MNTB的工作温度范围较宽,适合工业级应用需求。此外,它还具备静电放电(ESD)保护功能,提高了器件在实际使用中的可靠性和耐用性。由于其高集成度和优良的电气特性,RS1G180MNTB成为许多现代电子系统中理想的信号路径控制元件。

参数

类型:单通道模拟开关
  电源电压范围:1.8V 至 5.5V
  导通电阻(RON):典型值6Ω(在VCC=5V时)
  导通电阻平坦度:最大变化小于1Ω
  关断泄漏电流:最大1nA(25°C)
  输入电压范围:从0V到VCC
  开关时间(开启/关闭):约30ns(典型值)
  电荷注入:典型值4pC
  通道数量:1
  封装形式:XSON-6(1.8mm x 1.4mm)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  ESD耐压:HBM模型下≥2000V
  静态电流:最大1μA(关断状态)

特性

RS1G180MNTB具备极低的导通电阻(RON),典型值仅为6Ω,在整个工作电压范围内保持高度一致性,这使得它能够有效减少信号衰减,提升模拟信号的传输质量。这种低RON特性尤其适用于需要高保真信号传递的应用,例如音频处理和精密传感器接口。同时,该器件的导通电阻随输入电压的变化非常小,表现出优异的平坦度,从而保证了在不同信号电平下的线性响应,避免了失真问题的发生。
  该模拟开关支持宽电源电压范围(1.8V至5.5V),使其兼容多种逻辑电平系统,包括1.8V、3.3V和5V数字控制系统,增强了系统的灵活性和适应性。无论是在低电压运行以节省功耗的便携设备中,还是在标准电压工作的工业控制系统中,RS1G180MNTB都能稳定工作。此外,其CMOS输入结构带来了极低的输入偏置电流,进一步降低了功耗并减少了对外部驱动电路的要求。
  RS1G180MNTB具有快速的开关响应时间,开启和关闭时间均在30纳秒左右,支持高频信号切换应用,如多路复用器前端或数据采集系统中的通道选择。快速切换能力有助于提高系统整体的数据吞吐率和实时响应性能。同时,器件的电荷注入量极低(典型值为4pC),显著减少了开关瞬间对采样保持电路或其他敏感模拟电路造成的干扰,提升了测量精度。
  该芯片采用超小型XSON-6封装(仅1.8mm x 1.4mm),非常适合高密度PCB布局和空间受限的设计,如智能手机、可穿戴设备和微型传感器模块。尽管体积小巧,但其热性能良好,能有效散热以维持长期可靠性。此外,内置的静电放电(ESD)保护机制可承受HBM模式下超过2000V的电压冲击,增强了器件在生产和使用过程中的鲁棒性。
  RS1G180MNTB的静态电流极低,最大不超过1μA,即使在关断状态下也能实现节能运行,延长电池寿命。这一特性使其特别适合用于电池供电设备,如无线传感器节点、便携式医疗仪器和物联网终端。综合来看,RS1G180MNTB凭借其低功耗、高性能和小尺寸,成为现代混合信号系统中理想的模拟开关解决方案。

应用

RS1G180MNTB广泛应用于各类需要高效模拟信号管理的电子系统中。在便携式消费类电子产品中,如智能手机和平板电脑,它常用于耳机插孔检测与音频信号切换,实现扬声器与耳机之间的自动切换,同时支持麦克风输入路径的选择。其低导通电阻和高保真信号传输能力确保了清晰的音频输出质量。
  在工业自动化和传感器系统中,RS1G180MNTB可用于多路传感器信号的动态切换,将多个传感器输出轮流接入ADC进行数据采集,从而降低系统成本并节省空间。由于其宽电压工作范围和稳定的电气特性,适用于各种传感器接口电路,包括温度、压力、湿度等模拟量采集场景。
  在电池供电的物联网设备和无线传感网络中,该器件的低功耗特性尤为重要。它可以作为信号路径的使能开关,在非工作时段切断不必要的模拟链路,以最大限度地减少待机功耗,延长设备续航时间。此外,RS1G180MNTB也常用于测试与测量仪器中的信号路由模块,提供精确且快速的通道切换功能,满足高精度数据采集的需求。
  在医疗电子设备中,如便携式心率监测仪或血糖仪,RS1G180MNTB可用于生物电信号的选通控制,确保微弱生理信号在传输过程中不受干扰。其低电荷注入和低泄漏电流特性有助于维持信号完整性,提高诊断准确性。总之,该器件适用于任何要求小型化、低功耗和高性能模拟开关的场合。

替代型号

TS5A22362DCUR, NLAS4157FCT1G, MAX4695EUB+T

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RS1G180MNTB参数

  • 现有数量2,467现货
  • 价格1 : ¥12.64000剪切带(CT)2,500 : ¥5.37572卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Ta),80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7 毫欧 @ 18A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)19.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1293 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3W(Ta),30W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-HSOP
  • 封装/外壳8-PowerTDFN