类型：肖特基二极管
　　配置：双二极管（共阴极）
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　最大重复反向电压（VRRM）：200V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A @ 8.3ms 半正弦波
　　最大正向电压降（VF）：0.95V @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 200V, 25°C；10mA @ 200V, 125°C
　　反向恢复时间（trr）：≤5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约150°C/W（典型值，依PCB布局而定）

RS1E200GNTB所采用的肖特基势垒技术赋予了其显著低于传统PN结二极管的正向导通压降，通常在1A电流下仅为0.95V左右，这极大地减少了导通状态下的功率损耗，从而提升了整体系统能效，尤其适用于对能耗敏感的应用场合。由于其金属-半导体结的物理机制，该器件不具备少数载流子存储效应，因此反向恢复时间极短，典型值小于5纳秒，在高频开关环境中可有效抑制反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计并提升开关电源的稳定性。
　　该器件的最大重复反向耐压为200V，能够在较高电压环境下安全运行，适用于DC-DC转换器、反激式电源及续流/箝位电路等应用场景。其1A的平均整流电流能力足以满足中小功率电源的需求，同时具备高达30A的非重复浪涌电流承受能力，增强了对瞬态过电流的鲁棒性。双二极管共阴极结构设计使其非常适合用于全波整流或双路同步整流拓扑中，在节省空间的同时提高了集成度。
　　SMA封装具有较小的体积和良好的散热性能，配合合理的PCB铜箔设计可实现有效的热管理。该器件工作结温可达+125°C，支持在高温工业环境中的长期可靠运行。此外，其符合无铅和RoHS环保标准，适用于绿色电子产品制造流程。尽管肖特基二极管在高反向电压下漏电流相对较大，但RS1E200GNTB通过优化工艺控制将漏电流限制在合理范围内（25°C时不超过200μA），并在125°C高温下仍保持可控水平（10mA以内），确保了高温工况下的可用性。

RS1E200GNTB广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在需要高效整流和快速响应的场合。常见用途包括AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电脑电源、LED驱动电源以及小型逆变器等消费类电子产品的电源模块。其低正向压降和快速恢复特性使其成为同步整流或自由轮转二极管的理想选择，可用于DC-DC升压、降压及反激式变换器中，有效降低传导损耗并提升转换效率。
　　在工业控制系统中，该器件可用于继电器驱动电路中的反向电压保护，防止感性负载断开时产生的高压反电动势损坏主控元件。此外，在电池充电管理电路中，它可作为防反接或隔离二极管使用，保障系统的安全性与可靠性。通信设备中的板级电源分配网络也常采用此类肖特基二极管进行电压路径控制与冗余供电切换。
　　由于其SMA表面贴装封装形式，RS1E200GNTB特别适合自动化贴片生产线，广泛应用于需要高密度组装和回流焊工艺的现代电子产品制造中。其小型化设计有助于缩小PCB面积，适应便携式设备对空间的严格要求。同时，该器件也可用于太阳能充电控制器、USB电源接口保护电路以及各类嵌入式电源子系统中，提供高效的整流与保护功能。

SR1H200CGN