类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　最大重复反向电压（VRRM）：130V
　　最大直流阻断电压（VR）：130V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　正向压降（VF）：典型值0.875V，最大值1.0V（在IF=1A条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大值200μA（在VR=130V，TA=25°C时）
　　浪涌电流能力（IFSM）：30A（单个半正弦波，8.3ms）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约150°C/W（取决于PCB布局）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

RS1E130GNTB的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种金属-半导体接触机制显著降低了正向导通电压，相比传统的硅PN结二极管可减少约30%-40%的压降。在1A的工作电流下，其典型正向压降仅为0.875V，最高不超过1.0V，这意味着在大电流运行时产生的功耗更小，有助于提升整体电源转换效率并降低散热需求。此外，由于肖特基二极管本质上是非少数载流子注入型器件，因此其开关速度极快，反向恢复时间几乎可以忽略不计，这使得它特别适用于高频开关电源环境，如DC-DC变换器、开关模式电源（SMPS）和同步整流辅助电路中。
　　该器件具备高达130V的最大重复反向电压，使其能够适应中高压应用，同时保持良好的反向阻断性能。在高温环境下，虽然肖特基二极管通常存在较大的反向漏电流问题，但RS1E130GNTB通过优化的材料工艺控制，在130V反向电压下的最大漏电流被限制在200μA以内（25°C），即便在较高结温条件下也能维持相对稳定的电气表现。其1A的平均整流电流能力足以满足大多数中小功率电源模块的需求，并支持高达30A的峰值浪涌电流，增强了对瞬态过载的耐受能力。
　　SMA封装形式提供了紧凑的物理尺寸，便于在空间受限的设计中使用，同时也兼容自动化贴片生产和回流焊工艺。器件的工作结温范围从-55°C到+150°C，确保了在严苛工业环境或高功率密度场景下的长期可靠运行。热阻抗约为150°C/W，实际温升与PCB铜箔面积密切相关，合理布局可有效改善散热效果。整体而言，RS1E130GNTB结合了高效、快速、可靠的特点，是一款性价比优异的表面贴装整流解决方案。

RS1E130GNTB广泛应用于各类需要高效整流和低损耗特性的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流环节，尤其是在低电压输出（如5V、3.3V或更低）的拓扑结构中，其低正向压降能显著提高效率。在DC-DC转换器模块中，它常被用作续流二极管（freewheeling diode）或箝位二极管，以防止电感反电动势损坏主开关器件，同时加快能量释放过程，提升动态响应能力。此外，该器件也适用于电池充电管理系统、逆变器电路、LED驱动电源以及适配器和电源适配单元中，作为防止反接或提供极性保护的元件。
　　在消费类电子产品中，如智能手机充电器、平板电脑电源板、智能家居控制模块等，RS1E130GNTB因其小型化封装和高效率特性而备受青睐。在工业自动化领域，该二极管可用于PLC电源模块、传感器供电电路和电机驱动系统的辅助电源部分。通信设备中的电源子系统同样依赖此类高性能肖特基二极管来保障稳定运行。由于其具备较强的浪涌承受能力和宽温工作范围，也可部署于户外电子装置或车载电子系统中，例如车载充电器或DC-DC稳压模块，尽管需注意其最大反向电压是否满足具体应用场景的安全裕量要求。总之，凡涉及中低压、中等电流、高效率要求的整流任务，RS1E130GNTB均是一个可靠且经济的选择。

1N5819WS-13-F, SB1100, MBR1100, B130A, B130L, SS14, SS16, PS1E130GN