时间：2025/8/24 13:37:31
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RS1AB-TR 是一款由Renesas Electronics生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高性能的电源管理应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性等特点。RS1AB-TR采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供更高的电流处理能力和更低的功率损耗，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等多种应用场景。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻（Rds(on)）：20mΩ @ Vgs=2.5V
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSMT6（双侧散热）
RS1AB-TR MOSFET的核心特性在于其低导通电阻和高电流能力，使其在高效率电源转换应用中表现出色。其导通电阻在Vgs=4.5V时仅15mΩ，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件支持高达8A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。
该MOSFET采用TSMT6封装，具备双侧散热设计，提高了散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。其栅极驱动电压范围宽广，支持2.5V至4.5V的逻辑电平驱动，适用于多种控制电路设计。
RS1AB-TR具有良好的热稳定性，内置的热保护机制可防止过热损坏，提高了器件的可靠性和使用寿命。同时，其快速开关特性可减少开关损耗，提高整体系统效率。该器件还具备较高的抗雪崩能力，可在异常工作条件下提供额外的安全保障。
RS1AB-TR广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动和LED照明控制电路。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的便携式电子设备和工业控制系统。
RS1AH-TR, RSI1AB-TR, AO4406A, Si2302DS
