制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　产品系列：CL03
　　电容值：1.0pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：25V DC
　　温度特性：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/尺寸：0201（0603公制）
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　直流电阻（DCR）：低
　　ESR（等效串联电阻）：极低
　　应用场景：高频、射频、精密定时
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层 / 锡镀层
　　无铅：是（符合RoHS）

CL03C010BA3GNNC采用C0G（也称NP0）陶瓷介质材料，这是一种Class I类型的介电材料，以其卓越的温度稳定性著称。在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值的变化不超过±30ppm/°C，确保了在极端环境条件下仍能保持高度稳定的电气性能。这种近乎线性的温度系数使得该电容器非常适合用于对频率稳定性要求极高的电路中，例如石英晶体振荡器、压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）以及各类射频前端模块。此外，C0G材料还具有极低的介质损耗（tanδ通常小于0.1%），这意味着在高频工作时能量损失极小，有助于提升系统效率并减少发热。
　　该器件的结构设计采用了先进的多层叠膜工艺，实现了在0201微型封装内高度可靠的内部电极堆叠，增强了机械强度和抗热冲击能力。其端电极采用镍阻挡层加锡外镀层的设计，不仅提供了良好的可焊性，还能有效防止银迁移等问题，提高了长期使用的可靠性。由于尺寸仅为0.6mm × 0.3mm，CL03C010BA3GNNC特别适用于空间受限的高密度印刷电路板（PCB）布局，如智能手机、可穿戴设备、无线耳机和其他超薄便携式电子产品。
　　在电气性能方面，CL03C010BA3GNNC表现出极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使其在高频去耦和噪声滤波应用中表现优异。即使在GHz级别的射频频段下，也能维持稳定的阻抗特性，从而有效抑制电磁干扰（EMI）并改善信号完整性。同时，由于其非铁电性介质材料不随施加电压发生极化变化，因此电容值在不同偏置电压下几乎不变，避免了“电压系数”导致的失真或调谐漂移问题。这一特性对于高精度模拟电路和高频匹配网络至关重要。

CL03C010BA3GNNC主要用于需要高稳定性和低损耗的高频电子电路中。典型应用包括射频识别（RFID）系统的匹配网络、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee、5G毫米波）中的LC谐振电路、天线调谐单元和巴伦（Balun）电路。此外，在高速数字系统中，它可用于关键时钟线路的旁路和去耦，以减少相位噪声并提高时序精度。在精密测量仪器、医疗电子设备和工业传感器中，该电容器也被广泛用于滤波、耦合和定时功能，确保信号传输的准确性和稳定性。由于其小型化设计，尤其适合用于智能手机、平板电脑、智能手表和TWS耳机等追求轻薄化的消费类电子产品。另外，在汽车电子领域，尤其是车载信息娱乐系统和ADAS传感器模块中，该器件也能满足高温工作环境下的可靠运行需求。

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　　 "GRM0332C1H1R0CA01D",
　　 "CC0201-100-J3NB100",
　　 "GCM03C71A250FA01",
　　 "RL0503BD100B01"
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