RS-06K752JT 时间：2025/5/13 15:39:20 阅读：6

RS-06K752JT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性。它能够承受较高的电压和电流，并在高频工作条件下保持高效的性能表现。
　　RS-06K752JT特别适合需要高效能和高可靠性的工业级应用，其封装形式便于散热管理，同时简化了电路设计与布局。

参数

类型：功率MOSFET
　　极性：N沟道
　　Vds（漏源极击穿电压）：600V
　　Rds(on)（导通电阻）：0.18Ω
　　Id（持续漏极电流）：15A
　　Qg（栅极电荷）：35nC
　　fT（特征频率）：1.4MHz
　　封装：TO-247
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

RS-06K752JT具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力，Vds达到600V，适用于多种高压应用场景。
　　2. 低导通电阻Rds(on)，仅为0.18Ω，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
　　3. 栅极电荷Qg较小，仅为35nC，确保快速开关速度，减少开关损耗。
　　4. 支持高达15A的持续漏极电流Id，满足大功率需求。
　　5. 宽广的工作温度范围从-55℃到+150℃，适应恶劣环境条件。
　　6. TO-247封装提供良好的散热性能和机械稳定性，方便安装与维护。
　　7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。

应用

RS-06K752JT适用于以下典型应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
　　2. DC-DC转换器，用于电压调节和负载供电。
　　3. 电机驱动，例如家用电器中的风扇、泵和压缩机控制。
　　4. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
　　5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 汽车电子领域，如电动助力转向系统（EPS）和车载充电器。