RS-03K1100FT是一款高性能的场效应晶体管(FET),属于功率半导体器件,广泛应用于电力电子领域。它采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性等特点。该型号主要针对工业控制、通信电源和消费类电子产品中的高效能需求设计。
类型:N沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):100V
连续漏极电流(Id):24A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
栅极电荷(Qg):78nC
总功耗(Ptot):160W
工作温度范围:-55℃ to 150℃
RS-03K1100FT采用了增强型硅工艺技术,能够提供卓越的电气性能和可靠性。其低导通电阻有助于减少导通损耗,从而提高整体效率。同时,快速的开关速度可以降低开关损耗,并且具备良好的热管理能力以适应高温环境下的稳定运行。
此外,该器件还具有以下特点:
1. 强大的雪崩能力,确保在异常条件下仍能保持正常工作;
2. 减少了寄生电感对系统的影响;
3. 提供了优化的封装形式,便于散热和安装;
4. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这款MOSFET适合多种应用场景,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及负载开关等。在这些应用中,RS-03K1100FT凭借其高效能表现,成为设计工程师的理想选择。
IRFZ44N, FDP5510