型号：RRL025P03TR
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：DFN2.5x2.5-8L
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDS)：-30V
　　栅源电压(VGS)：+20V/-20V
　　连续漏极电流(ID)：-14A(Tc=25°C)
　　脉冲漏极电流(IDM)：-42A
　　导通电阻(RDS(on))max@VGS=-10V：2.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on))max@VGS=-4.5V：3.3mΩ
　　导通电阻(RDS(on))max@VGS=-2.5V：5.6mΩ
　　阈值电压(Vth)typ：-1.5V
　　输入电容(Ciss)：2290pF@VDS=15V
　　输出电容(Coss)：760pF@VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：140pF@VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)tot@VGS=-10V：34nC
　　上升时间(tr)：19ns
　　下降时间(tf)：16ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C~+150°C
　　热阻结到壳(RthJC)：1.7K/W
　　热阻结到板(RthJB)：6.0K/W
　　安装类型：表面贴装
　　符合标准：RoHS, Halogen-free

RRL025P03TR采用ST先进的沟槽栅极与场截止技术，显著优化了器件的导通电阻与开关性能之间的平衡。其超低的导通电阻（在VGS=-10V时最大仅为2.5mΩ）使其在大电流应用场景下能够大幅减少功率损耗，提升系统效率。这一特性特别适用于电池供电设备中的电源路径控制，如智能手机、平板电脑和便携式医疗设备中的负载开关或热插拔电路。此外，该器件在较低栅极驱动电压（如-4.5V或-2.5V）下仍能保持较低的RDS(on)，表明其具备良好的驱动兼容性，可与3.3V或5V逻辑电平直接接口，无需额外的电平转换电路，降低了系统复杂性和成本。
　　该MOSFET的封装形式为DFN2.5x2.5-8L，具有极小的占位面积和薄型轮廓，非常适合高密度PCB布局。其底部带有暴露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量高效传导至地层或散热层，从而有效降低结温，提高长期运行的可靠性。器件的输入、输出和反向传输电容经过优化，在高频开关应用中可减少开关损耗并抑制噪声干扰。同时，其总栅极电荷（Qgtot）仅为34nC（@VGS=-10V），意味着驱动电路所需提供的能量较少，有助于降低驱动IC的功耗。此外，该器件具备出色的雪崩耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定，增强了系统的鲁棒性。
　　RRL025P03TR的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。其阈值电压典型值为-1.5V，确保在正常工作条件下具有明确的开关状态切换点，避免因噪声引起的误触发。器件还具备低反向恢复电荷（Qrr）特性，当体二极管导通后反向恢复过程中产生的电流尖峰较小，减少了电磁干扰（EMI）问题，尤其在同步整流拓扑中表现优异。综合来看，RRL025P03TR凭借其高性能参数、紧凑封装和高可靠性，成为现代高效电源管理系统中理想的P沟道功率开关解决方案。

RRL025P03TR广泛应用于需要高效、紧凑型功率开关的各种电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电池电源管理，例如作为主电源开关控制电池与系统之间的连接，实现低静态电流待机模式和快速上电响应。在DC-DC转换器中，它可用于同步整流拓扑的高端开关，替代传统二极管以降低导通压降和发热，从而提升转换效率。此外，该器件也适用于热插拔控制器电路，能够在不断电的情况下安全地插入或拔出模块化组件，保护后端电路免受浪涌电流冲击。在电机驱动应用中，RRL025P03TR可用于H桥电路中的高端驱动部分，控制直流电机或步进电机的正反转与制动功能。工业自动化设备、通信模块、USB电源开关、LED驱动电源以及各类嵌入式控制系统中，该MOSFET均可作为高效的功率开关元件使用。得益于其高可靠性与宽温度范围，该器件也可用于车载信息娱乐系统或辅助电源单元等汽车电子领域。

RRL025P03T4
　　RRL025P03
　　DMG2302UK