KTA1504GR 时间：2025/12/28 14:50:35 阅读：7

KTA1504GR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件采用了先进的沟槽式技术，以实现低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。KTA1504GR 通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池供电设备和负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25℃）
　　最大功耗（Pd）：100W
　　导通电阻（Rds(on)）：最大6.5mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：SMP（Surface Mount Package）

特性

KTA1504GR 具有低导通电阻特性，使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗，从而提高系统效率。此外，该器件采用了高耐压的栅极氧化层设计，具有良好的栅极稳定性，确保在高频率开关操作中的可靠性。其高电流承受能力和热稳定性使其适用于严苛的工作环境，如工业自动化和汽车电子系统。KTA1504GR 的封装形式采用表面贴装技术，有助于减少PCB面积并提升焊接可靠性和散热性能。此外，该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统的响应速度和效率。
　　KTA1504GR 还具备优异的抗静电能力和热保护性能，确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。其高可靠性设计使其成为高性能电源管理系统中的理想选择，特别是在需要高效能和高稳定性的应用场合。

应用

KTA1504GR 主要用于需要高电流处理能力和高效能转换的电力电子系统。典型应用包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、电源供应器、UPS系统、以及汽车电子中的功率控制模块。其优异的导通和开关特性使其在高频开关应用中表现出色，特别适合对效率和散热有严格要求的设计。