容量：256K位（32K x 8）
　　组织结构：32K地址 x 8位数据
　　访问时间：10ns
　　工作电压：5V
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 70°C）或工业级（-40°C 至 85°C）
　　封装类型：塑料双列直插式封装（PDIP）
　　封装引脚数：28引脚
　　接口类型：并行接口
　　读取电流：约100mA（典型值）
　　待机电流：约10mA（典型值）

HY62C256P-10 是一款高性能的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具备快速访问时间和低功耗的特性，非常适合对速度和稳定性要求较高的应用场合。该芯片的访问时间仅为10ns，能够支持高速数据存取操作，从而提高系统的整体性能。其32K x 8的组织结构提供了32KB的存储空间，适用于缓冲存储器、高速缓存、临时数据存储等应用场景。
　　该芯片的工作电压为标准5V，兼容常见的数字逻辑电平，确保与大多数微处理器和控制器无缝连接。HY62C256P-10 提供了低待机电流，在不进行数据读写操作时能够有效降低功耗，延长设备的运行时间。此外，其工作温度范围包括商业级和工业级选项，适用于多种环境条件下的设备，如工业控制系统、通信设备、消费电子产品等。
　　采用28引脚PDIP封装，HY62C256P-10 的设计便于焊接和安装，适用于原型设计和小批量生产。其并行接口设计支持直接与微处理器或控制器连接，无需额外的接口电路，简化了系统设计并降低了成本。

HY62C256P-10 广泛应用于需要高速存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、测试仪器和消费电子产品中。例如，它可以用于数据缓存、高速缓冲存储器（Cache）、临时数据存储以及需要频繁读写的小型存储应用。由于其快速访问时间和低功耗特性，该芯片也常用于需要实时数据处理的控制系统，如自动化设备和机器人控制模块。

IS62C256AL-10T, CY62256NLL-55PSC, IDT71256SA10P, AS6C256R-10SIN