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RRE02VTM6SFH 发布时间 时间:2025/11/7 18:54:38 查看 阅读:9

RRE02VTM6SFH是一款由罗姆半导体(ROHM Semiconductor)生产的表面贴装肖特基势垒二极管(SBD),采用小型化、高密度封装,适用于对空间要求严格的便携式电子设备和高效率电源系统。该器件属于低正向电压、高速开关型二极管系列,具备优异的整流性能与热稳定性,广泛应用于DC-DC转换器、电源整流、反向电池保护以及信号箝位等场景。RRE02VTM6SFH的设计注重功耗控制与可靠性,在高温环境下仍能保持稳定的电气特性,符合现代电子产品对节能与小型化的严苛要求。此外,该型号通过了AEC-Q101车规级认证,适用于汽车电子系统中的辅助电源管理模块,如车载信息娱乐系统、传感器供电单元和LED照明驱动电路。
  其封装形式为SOD-123FL,具有较小的占板面积和良好的散热能力,便于实现自动化贴片生产。器件在制造过程中采用无铅工艺,并符合RoHS环保标准,支持绿色电子产品的开发需求。RRE02VTM6SFH凭借其紧凑的外形、高效的电学表现及可靠的环境适应性,成为众多中低功率应用中理想的整流解决方案之一。

参数

产品类型:肖特基势垒二极管
  配置:单路
  是否无铅:无铅
  是否环保:RoHS合规
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C
  最大重复反向电压(VRRM):20V
  最大直流反向电压(VR):20V
  平均整流电流(Io):200mA
  峰值正向浪涌电流(IFSM):0.5A
  最大正向电压(VF):0.38V @ 200mA
  最大反向电流(IR):0.1μA @ 20V
  结电容(Cj):约40pF @ 1MHz
  封装/外壳:SOD-123FL

特性

RRE02VTM6SFH的核心优势在于其极低的正向导通电压(VF),典型值仅为0.38V,当工作电流为200mA时,显著低于传统硅PN结二极管的0.7V水平。这一特性有效降低了器件在导通状态下的功率损耗(P = VF × IF),提升了整体电源系统的转换效率,尤其适用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场合。例如,在便携式医疗仪器、智能穿戴设备或无线传感器节点中,降低功耗可延长续航时间并减少发热问题。同时,由于肖特基结构基于金属-半导体接触而非P-N结,其载流子迁移机制主要依赖多数载流子,因此具备极快的开关响应速度,反向恢复时间几乎可以忽略不计,避免了普通二极管在高频切换过程中产生的反向恢复电流尖峰和电磁干扰(EMI)问题。
  该器件还展现出优异的温度稳定性和长期可靠性。其最大工作结温可达150°C,可在高温环境中持续运行而不会发生性能退化或热击穿现象。这对于安装在密闭空间或靠近发热元件的电路尤为重要。此外,RRE02VTM6SFH通过了AEC-Q101应力测试认证,表明其在极端温度循环、湿度偏压、机械振动等严苛条件下仍能维持稳定功能,适合用于汽车电子领域。封装采用SOD-123FL小型塑料封装,尺寸紧凑(约2.7mm × 1.6mm × 1.1mm),节省PCB布局空间,有利于高密度集成设计。内部引线键合工艺优化,确保良好的电气连接与散热路径。产品在出厂前经过100%的电气参数测试,保证批次一致性与良品率。整体而言,RRE02VTM6SFH是一款兼顾高性能、高可靠性和小型化的先进肖特基二极管,满足消费类电子、工业控制与汽车电子的多样化需求。

应用

RRE02VTM6SFH广泛应用于各类需要高效、低损耗整流功能的电子系统中。常见使用场景包括便携式电子设备的电源管理单元,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的DC-DC升压或降压转换器输出端整流环节,利用其低VF特性提高电源效率。在嵌入式控制系统中,常用于微控制器I/O口的信号箝位保护,防止过压或反接造成芯片损坏。它也适用于USB供电路径中的防反接保护电路,确保外部电源接入方向错误时不会损坏主控电路。
  在汽车电子方面,因其通过AEC-Q101认证,被广泛用于车载摄像头模组、车身控制模块(BCM)、仪表盘显示驱动、车内照明LED恒流源的续流二极管等应用。此外,在工业传感器、智能家居网关、物联网终端设备中,作为辅助电源的整流元件或备用电池切换电路中的隔离二极管,发挥关键作用。其快速响应能力也使其适用于高频开关电源中的次级侧整流,尤其是在低电压大电流输出拓扑中表现出色。

替代型号

RB751S-40,RB705S,RBR5V2L30,SS12

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