RQW180N03 时间：2025/5/30 19:02:53 阅读：8

RQW180N03是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用TO-252封装形式。该器件适用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域，具有低导通电阻和高开关速度的特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。
　　该MOSFET在设计上注重高性能与可靠性，其出色的电气性能使其成为众多功率转换电路的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：180A
　　导通电阻（典型值）：3.5mΩ
　　栅极电荷：47nC
　　开关时间：开启延迟时间11ns，下降时间22ns
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

RQW180N03具备超低导通电阻，可显著减少传导损耗，从而提高整体效率。同时，该器件具有快速的开关特性，有助于降低开关损耗。
　　此外，它还拥有较高的雪崩能量承受能力，能够在异常条件下提供更好的保护功能。器件的小型化封装使其非常适合空间受限的应用场景，同时保持良好的散热性能。

应用

该MOSFET广泛应用于消费类电子、工业控制和汽车电子等领域。具体应用场景包括但不限于：
　　- 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管
　　- 电动工具及家用电器中的电机驱动
　　- 负载开关和保护电路
　　- 各类DC/DC转换器模块
　　RQW180N03凭借其卓越的性能表现，为工程师提供了灵活且高效的解决方案。