时间：2025/4/27 13:23:23
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DMP4065S-7是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Diodes Incorporated生产。该器件采用超小型DFN1006-3封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于便携式设备中的负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换器等应用。
这款MOSFET的主要特点是其极小的尺寸和出色的电气性能，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压(Vds)：20V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.1A
导通电阻(Rds(on))：120mΩ
总栅极电荷(Qg)：4nC
输入电容(Ciss)：15pF
输出电容(Coss)：2.9pF
工作温度范围(Tj)：-55℃ to +150℃
DMP4065S-7具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，在特定条件下可达到120mΩ，有助于减少传导损耗。
2. 小巧的DFN1006-3封装形式，适合空间受限的应用场景。
3. 高开关速度，得益于较低的栅极电荷，适用于高频开关电路。
4. 较宽的工作温度范围，能够在极端环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
DMP4065S-7广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理。
2. 便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电池保护电路。
3. DC-DC转换器和低压降稳压器(LDO)。
4. 信号切换和逻辑电平转换。
5. 各种需要高效能、小体积解决方案的电子设备。
DMN2990UFQ-7
DMP2068UFG-7
Si2302DS
