型号：RQ6E045RP
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@TC=25°C）：190A
　　脉冲漏极电流IDM：600A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：4.5mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：6.0mΩ
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容Ciss：10000pF
　　输出电容Coss：1500pF
　　反向传输电容Crss：250pF
　　总栅极电荷Qg（@10V）：90nC
　　上升时间tr：25ns
　　下降时间tf：20ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：LFPAK (Power88)
　　安装方式：表面贴装SMT

RQ6E045RP采用瑞萨专有的沟槽栅极与场截止技术，实现了极低的导通电阻RDS(on)，最大仅为4.5mΩ（在VGS=10V时），这显著降低了器件在大电流工作条件下的导通损耗，提高了电源系统的整体效率。该特性特别适用于需要高电流承载能力和低功耗的应用，例如服务器电源、通信电源和电动汽车车载充电机。同时，该器件在较低的栅极驱动电压下（如4.5V）仍能保持良好的导通性能（RDS(on) ≤ 6.0mΩ），使其兼容逻辑电平驱动信号，扩展了其在微控制器直接驱动场景中的适用性。
　　该MOSFET具备出色的开关特性，包括低栅极电荷（Qg = 90nC）和低米勒电容（Crss = 250pF），有效减少了开关过程中的能量损耗，支持更高频率的开关操作，有助于缩小磁性元件和滤波电容的体积，从而实现更高的功率密度设计。此外，器件的封装采用LFPAK（也称Power88）结构，这是一种无引线、双面散热的表面贴装封装，具有极低的热阻（RthJC ≈ 0.3°C/W），能够高效地将芯片热量传导至PCB，提升热管理能力，并允许在有限空间内处理更大功率。
　　RQ6E045RP还具备良好的鲁棒性，包括高雪崩能量等级和强大的dV/dt抗扰度，能够在负载突变或短路等异常工况下维持稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）确保了在高温工业环境或密闭空间内的长期可靠性。器件符合AEC-Q101车规级认证要求，适用于汽车电子系统中的关键功率模块。此外，该产品采用环保材料制造，符合RoHS和无卤素标准，满足现代电子产品对绿色制造的需求。

RQ6E045RP广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。典型应用场景包括服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）及POL（点负载）转换器，在这些系统中，其低RDS(on)和高电流能力可显著降低导通损耗，提升能效，满足80 PLUS钛金等高能效标准。在通信电源系统中，该器件可用于隔离式DC-DC变换器的次级侧同步整流电路，替代传统肖特基二极管，大幅降低压降和发热，提高转换效率。
　　在电动汽车领域，RQ6E045RP可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的主动均衡电路，其高可靠性和车规认证确保在复杂电磁环境和宽温范围下的稳定运行。此外，在工业自动化设备、PLC电源模块、焊接设备和UPS不间断电源中，该器件凭借其优异的热性能和过载能力，成为实现紧凑型高功率电源设计的理想选择。
　　由于其支持高频开关操作，RQ6E045RP也适用于高频LLC谐振转换器、有源钳位反激（ACF）拓扑和同步降压/升压变换器等先进拓扑结构。在消费类高端电源适配器（如笔记本电脑快充）中，该器件有助于实现小型化和高效率的设计目标。同时，其表面贴装封装便于自动化生产，适合大规模SMT回流焊工艺，提升了制造效率和产品一致性。

RJK0655DPB
　　IPD95R045P7
　　IRLR8726PbF
　　BSC045N06NS