制造商：Infineon Technologies (原Cypress Semiconductor)
　　产品系列：NoBL? SyncBurst SRAM
　　存储容量：256K x 36
　　数据宽度：36位
　　电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：6ns
　　最大时钟频率：166MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：64-TQFP
　　接口类型：同步
　　时钟输入：单端CMOS
　　突发模式：线性/交错可选
　　封装形式：薄型四边扁平封装（TQFP）
　　引脚数：64
　　内存类型：SRAM
　　供电电压：3 - 3.6V DC
　　输出类型：3-State

CY7C1360B-166AJC的核心特性之一是其NoBL?（No Bus Latency）架构，这一创新设计消除了传统同步SRAM中常见的地址设置和建立延迟问题，使得在连续突发读写操作中无需插入等待周期，极大提升了数据传输效率。这种架构特别适用于需要连续高速数据流的应用，如网络包处理、视频缓冲和实时信号处理等场景。该器件支持两种突发顺序模式——线性递增和交织模式，用户可通过模式寄存器进行灵活配置，以匹配不同主控处理器的地址生成逻辑。突发长度固定为4或8字（取决于具体型号和配置），所有传输均在单一时钟沿触发，保证了严格的同步性和确定性延迟。
　　CY7C1360B-166AJC采用全同步设计，所有输入信号均在时钟上升沿采样，输出数据也在同一时钟沿有效，简化了系统时序匹配难度。它支持三种主要操作模式：读操作、写操作和空操作（NOP），并通过片选（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）信号组合控制。器件还具备部分写功能（Write Enable per Byte），允许独立控制四个9位字节使能信号（BWE# 和 BW#），实现精细粒度的数据更新，避免不必要的总线冲突和功耗浪费。
　　为了提高系统能效，该芯片集成了低功耗待机模式，当片选信号无效时自动进入低功耗状态，显著降低静态电流消耗。同时，其CMOS工艺和优化的驱动电路设计确保了在高频运行下的低动态功耗，满足绿色电子产品的能效要求。该器件符合工业级环境规范，在-40°C到+85°C的宽温范围内保持稳定性能，并通过了严格的ESD保护和闩锁免疫测试，增强了现场应用的鲁棒性。此外，CY7C1360B-166AJC提供标准JEDEC兼容封装，便于PCB布局和自动化装配，缩短产品开发周期。

CY7C1360B-166AJC主要用于需要高带宽、低延迟和可靠数据存储的高性能系统中。典型应用包括通信基础设施设备，如千兆以太网交换机、路由器和基站控制器，其中它被用作帧缓冲器或队列管理存储器，用于暂存快速到达的数据包，确保零丢包传输。在数字信号处理（DSP）系统中，该SRAM常作为协处理器的外部高速缓存，配合FPGA或ASIC实现复杂的算法运算，例如FFT变换、滤波和编码解码任务，其突发传输能力可充分匹配DSP内核的数据吞吐需求。
　　此外，该芯片也广泛应用于工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器和机器视觉系统，用于实时采集和预处理传感器数据。在测试与测量仪器领域，如示波器、逻辑分析仪中，CY7C1360B-166AJC可用于高速采样数据的临时存储，支持长时间连续记录而不丢失关键信息。广播和音视频设备中，该器件可作为视频帧缓冲或音频流缓存，保障画面流畅播放和音质还原。由于其36位宽数据接口的设计，特别适合处理带有ECC校验位或奇偶校验的数据流，因此也被用于高可靠性计算平台和航空电子系统中，提供错误检测支持的数据暂存功能。总之，凡是需要在紧凑空间内实现高速、稳定、低延迟存储扩展的场合，CY7C1360B-166AJC都是一个理想选择。

CY7C1360B-166AXC
　　CY7C1360B-133AXC
　　IS61WFV1008SBLL-15BLI