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RQ6E035ATTCR 发布时间 时间:2025/12/25 12:24:32 查看 阅读:11

RQ6E035ATTCR是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)推出的N沟道功率MOSFET,专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术,能够在低电压和中等电流条件下实现极低的导通电阻和优异的开关性能。其封装形式为TDFN(Thin Dual Flat No-lead),尺寸紧凑,适合对空间要求严格的便携式电子产品和高密度电源模块。RQ6E035ATTCR广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的功率管理电路。该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性,符合工业级工作温度范围要求,并通过了AEC-Q101车规认证,适用于汽车电子系统中的各类电源控制场景。
  RQ6E035ATTCR的关键优势在于其优化的栅极电荷与导通电阻乘积(RDS(on) × Qg),这使得它在高频开关应用中能够显著降低传导损耗和驱动功耗,从而提升整体系统能效。此外,该器件具有较低的输入和输出电容,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高电源转换效率。其引脚布局经过优化,便于PCB布线并降低寄生电感,进一步增强高频工作的稳定性。产品符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子制造流程。

参数

型号:RQ6E035ATTCR
  通道类型:N沟道
  漏源电压(VDSS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):18A @ 25°C
  脉冲漏极电流(IDM):72A
  导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ @ VGS=10V, 4.5mΩ @ VGS=4.5V
  阈值电压(Vth):1.0V ~ 2.0V
  输入电容(Ciss):1370pF @ VDS=15V
  输出电荷(Qgd):14nC @ VDS=15V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TDFN-8L (3.3x3.3)
  是否符合RoHS:是
  是否通过AEC-Q101:是

特性

RQ6E035ATTCR采用瑞萨先进的沟槽型MOSFET工艺,具备极低的导通电阻,典型值仅为3.5mΩ(在VGS=10V条件下),这一特性使其在大电流应用中表现出色,显著降低了功率损耗和温升。其低RDS(on)得益于优化的晶圆结构设计和高掺杂浓度的源漏区,同时保持了良好的击穿电压能力。该器件的栅极电荷(Qg)非常低,典型值约为14nC(在VDS=15V时),这意味着驱动电路所需的能量更少,有利于提高开关频率并降低控制器的驱动负担。这对于诸如同步降压转换器等需要快速开关的应用至关重要,可以有效减少开关过渡时间,从而降低动态损耗。
  该MOSFET具有出色的热性能,得益于TDFN-8L封装底部集成的散热焊盘,能够通过PCB上的热过孔将热量高效传导至地层或散热层,极大提升了器件的持续电流承载能力。其热阻(RθJC)低至1.5°C/W,确保在高负载条件下仍能维持稳定的电气性能。此外,该器件具备良好的雪崩耐受能力,在非钳位电感开关测试(UIS)中表现出较高的能量承受水平,增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。
  RQ6E035ATTCR还具备优异的抗短路能力和稳定的阈值电压温度系数,确保在宽温度范围内可靠工作。其栅氧层经过严格工艺控制,可承受±20V的栅源电压,提高了在噪声环境下的抗干扰能力。器件的输出电容(Coss)和反向恢复电荷(Qrr)均处于行业领先水平,尤其适合用于高效率同步整流拓扑中,避免因体二极管反向恢复引起的额外损耗。整体而言,这款MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡,是现代高性能电源系统的理想选择。

应用

RQ6E035ATTCR广泛应用于多种高效率电源管理系统中,尤其适用于需要低导通损耗和高开关频率的场景。其主要应用领域包括但不限于:同步降压型DC-DC转换器,常用于服务器、笔记本电脑、FPGA和ASIC的多相供电模块,作为下管或上管使用;便携式电子设备中的负载开关,如智能手机和平板电脑中的电源路径管理,利用其低RDS(on)来减少压降和发热;电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关,提供高效的通断能力并支持双向电流流动;电动工具和无人机等电池供电设备中的电机驱动电路,作为H桥或半桥拓扑中的开关元件;车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中的分布式电源架构,得益于其通过AEC-Q101认证,可在严苛的汽车环境中稳定运行。
  此外,该器件也适用于LED背光驱动、热插拔控制器以及各种工业自动化设备中的电源模块。由于其小型化封装和高功率密度特性,特别适合空间受限但对能效要求较高的应用场景。在通信基础设施中,如基站电源和PoE(Power over Ethernet)供电端设备中,RQ6E035ATTCR也能发挥其高频响应和低损耗的优势,提升系统整体效率。总之,凡是需要高效、紧凑且可靠的功率开关的地方,RQ6E035ATTCR都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

[
   "RQ6E035ATN",
   "RQA040N03TR",
   "SiS452DN-T1-GE3",
   "IRLHS3442PbF",
   "AOZ5311NQI-02"
  ]

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RQ6E035ATTCR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.18000剪切带(CT)3,000 : ¥0.89527卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 3.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)475 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TSMT6(SC-95)
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6