型号：RQ5RW30BA
　　制造商：ROHM
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：5.1A @ TC=70°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：20A
　　导通电阻(RDS(on))：26mΩ @ VGS=10V, ID=2.5A
　　导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.5A
　　栅极阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：520pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　功耗(PD)：1.5W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN2020(2x2)
　　引脚数：6
　　安装方式：表面贴装SMT
　　通道数：单通道
　　极性：N沟道

RQ5RW30BA采用ROHM专有的Trench MOSFET结构，这种先进的制造工艺显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体电源转换效率。该器件在VGS=10V时RDS(on)仅为26mΩ，在VGS=4.5V条件下也能保持30mΩ的低阻值，表明其在中等驱动电压下仍具有出色的导通性能，非常适合由微控制器或逻辑IC直接驱动的应用场景。该MOSFET具备良好的开关特性，输入电容Ciss为520pF，输出电容Coss为190pF，使得其在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和较快的响应速度。同时，其反向恢复时间trr为18ns，有助于减少体二极管反向恢复引起的开关损耗，提升系统在硬开关拓扑中的效率。
　　该器件的DFN2020封装具有较小的占位面积（2mm x 2mm），有利于节省PCB空间，特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积敏感的产品。封装底部带有散热焊盘，能够有效将芯片产生的热量传导至PCB，提升热稳定性。RQ5RW30BA的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，保证了其在高温或低温环境下的可靠运行。此外，该器件通过AEC-Q101车规认证，意味着其在温度循环、湿度、机械冲击和寿命测试等方面均满足汽车电子严苛的要求，可用于车载信息娱乐系统、传感器模块或车身控制单元中的电源管理部分。
　　在可靠性方面，RQ5RW30BA具备优秀的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在瞬态过压或过流情况下维持稳定工作。其低栅极电荷（Qg）特性也降低了驱动电路的功耗，进一步提升了系统能效。综合来看，RQ5RW30BA凭借其低导通电阻、小封装尺寸、高可靠性及广泛的适用性，成为中小功率开关电源、同步整流、电池供电设备和负载开关等应用中的优选器件。

RQ5RW30BA广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中的电源管理模块，作为负载开关或DC-DC转换器的同步整流开关使用。在这些设备中，其低RDS(on)和小封装尺寸有助于延长电池续航并节省主板空间。该器件也常用于笔记本电脑和超极本中的多路电源分配系统，控制不同功能模块的上电时序，防止浪涌电流对系统造成影响。
　　在工业控制领域，RQ5RW30BA可用于PLC模块、传感器供电电路和小型电机驱动电路中的电源开关，其稳定的电气性能和宽温工作能力确保了在复杂工业环境下的长期可靠运行。在通信设备中，该MOSFET可用于PoE（以太网供电）终端设备的电源隔离和稳压电路，提供高效的电压调节路径。此外，得益于其通过AEC-Q101认证，RQ5RW30BA也被广泛应用于汽车电子系统，例如车载摄像头、LED照明驱动、BCM（车身控制模块）和ADAS传感器供电单元中，承担电源开关或电流检测等功能。
　　在嵌入式系统和物联网设备中，RQ5RW30BA可用于实现低功耗待机模式下的电源域切换，帮助系统在休眠状态下切断非关键模块的供电，从而降低静态功耗。它还可作为ORing二极管的理想替代方案，用于双电源冗余系统中，避免传统肖特基二极管的正向压降带来的能量损耗。总之，RQ5RW30BA凭借其高性能和高可靠性，适用于从消费电子到汽车、工业等多个领域的电源开关和功率控制应用。

DMG2302UK-7
　　RJK03B9DPB-00
　　SI2302CDS-T1-E3
　　FDC630P