类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：9.4 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：30 A
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.1 V，范围0.8 V ~ 1.3 V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：最大值5.7 mΩ @ VGS = 4.5 V；最大值4.0 mΩ @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：典型值520 pF @ VDS = 10 V
　　输出电容（Coss）：典型值290 pF @ VDS = 10 V
　　反向传输电容（Crss）：典型值75 pF @ VDS = 10 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值8.5 nC @ VGS = 10 V
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值6 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值18 ns
　　封装形式：DFN2020-6L (PowerLFPAK)
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻结到外壳（RθJC）：典型值2.5 °C/W
　　热阻结到环境（RθJA）：典型值40 °C/W

FMM5022MUT采用安森美先进的TrenchMOS工艺技术，确保了器件在低电压应用中具备卓越的电气性能和稳定性。其核心优势之一是极低的漏源导通电阻（RDS(on)），在VGS = 10 V时可低至4.0 mΩ，显著降低了导通损耗，提升了电源系统的整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，在VGS = 4.5 V条件下仍能保持5.7 mΩ的低导通电阻，使其兼容3.3 V或5 V逻辑驱动电路，适用于多种控制架构下的同步整流与开关应用。
　　该器件的栅极电荷（Qg）仅为8.5 nC（典型值），意味着驱动所需的能量较少，进一步降低了驱动电路的功耗，尤其适合高频开关应用如DC-DC降压变换器。其快速的开关特性——开启延迟时间为6 ns，关断延迟时间为18 ns——使得MOSFET能够在MHz级别的开关频率下高效运行，减少开关损耗，提升功率密度。此外，较低的输入、输出和反向传输电容（Ciss、Coss、Crss）也有助于减小寄生效应，改善EMI表现。
　　FMM5022MUT的DFN2020-6L封装不仅体积小巧（约2 mm × 2 mm），还集成了底部散热焊盘，通过PCB上的热过孔可有效将热量传导至主板，实现高效的热管理。这种封装方式特别适用于高密度贴装的便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和小型电源模块。其热阻结到外壳（RθJC）仅为2.5 °C/W，表明其具有出色的热传导能力，可在高负载条件下维持较低的工作温度，从而增强长期可靠性。
　　该MOSFET具备±12 V的栅源电压耐受能力，提供了对瞬态电压波动的良好容忍度，减少了因栅极过压导致的失效风险。其阈值电压范围适中（0.8~1.3 V），保证了稳定的开启特性，避免误触发。产品符合AEC-Q101汽车级可靠性认证，可用于车载信息娱乐系统或辅助电源模块等严苛环境。综合来看，FMM5022MUT凭借低RDS(on)、低Qg、优良热性能和紧凑封装，成为现代高效能、小型化电源设计的理想选择。

FMM5022MUT广泛应用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的电源管理系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压变换器（Buck Converter），用于CPU/GPU供电、FPGA电源轨及便携式设备主电源模块，其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率并减少发热。在电池供电系统中，如智能手机、平板电脑和移动电源，它常被用作负载开关或电池隔离开关，实现低静态功耗和快速响应的电源通断控制。此外，该器件适用于电机驱动电路中的低端开关，尤其在微型电机或振动马达驱动中表现良好。在热插拔电路和电源多路复用系统中，FMM5022MUT也可作为理想的功率开关元件，提供低损耗的电流路径。由于其具备汽车级可靠性认证，因此还可用于车载摄像头模块、车载信息娱乐系统电源、ADAS传感器供电单元等汽车电子领域。工业控制设备中的分布式电源系统、现场仪表和小型PLC模块同样可以利用其高功率密度特性进行优化设计。总之，凡是在20V以下电压范围内需要高效、紧凑功率开关的应用，FMM5022MUT均是一个极具竞争力的选择。

FDMC5022S,FDS5672_Q1,FDMF5820